Minden topológia gyors kapcsolású tápkapcsolót igényel. A gyorsító fokozat és a teljes híd konverziós fokozat gyors kapcsolási diódákat igényel. Ezenkívül az alacsony frekvenciájú (100 Hz) konverzióra optimalizált kapcsolók is hasznosak ezekhez a topológiákhoz. Bármely szilíciumtechnológia esetében a gyors kapcsolásra optimalizált kapcsolók nagyobb vezetési veszteséggel rendelkeznek, mint az alacsony frekvenciájú kapcsolási alkalmazásokhoz optimalizált kapcsolók.

A boost fokozatot általában folyamatos áram módú átalakítónak tervezték. Az inverter által használt tömbben lévő napelem modulok számának megfelelően válassza ki, hogy 600 V-os vagy 1200 V-os eszközöket használ. A tápkapcsolók két lehetősége a MOSFET és az IGBT. Általánosságban elmondható, hogy a MOSFET magasabb kapcsolási frekvencián tud működni, mint az IGBT. Emellett a testdióda hatását mindig figyelembe kell venni: a boost fokozat esetében nincs probléma, mert a testdióda normál üzemmódban nem vezet. A MOSFET vezetési vesztesége az RDS(ON) vezetési ellenállás alapján számítható ki. Egy adott MOSFET sorozatnál ez arányos a effektív szerszámfelülettel. Ha a névleges feszültséget 600 V-ról 1200 V-ra változtatjuk, a MOSFET vezetési vesztesége jelentősen megnő. Ezért még akkor is, ha a névleges RDS(ON) egyenértékű, az 1200 V-os MOSFET nem elérhető, vagy az ára túl magas.

Kérjük, nézze meg, és jobban megértsen bennünket:

20000 watt pure sine wave ac inverter